國內(nèi)光纖激光器的研究始于上世紀(jì)90年代后期，南開大學(xué)在國內(nèi)率先開展了光纖激光器方面的研究，隨后上海光機(jī)所、中國兵裝院、中電11所、西安光機(jī)所等單位在此方面進(jìn)行了很多試驗研究，但這些研究基本全都停留在實驗室階段，離產(chǎn)品化相去甚遠(yuǎn)。特別是針對高性能光纖激光器的研究相對較少，實用化方面所做的工作也遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠，效果也不是很理想。因此，很有必要進(jìn)一步加強(qiáng)對被動鎖模光纖激光器的研究。

    雖然光纖激光器的技術(shù)壁壘高，但是隨著眾多激光器企業(yè)轉(zhuǎn)型進(jìn)入光纖激光器市場，加大對光纖激光器研發(fā)的投入，其未來競爭會日益激烈。如何能夠在未來占得市場優(yōu)勢，當(dāng)下應(yīng)把握未來光纖激光器激光鏡片市場動向及技術(shù)發(fā)展的趨勢。

　　第一、光纖激光器本身性能的提高：如何提高輸出功率和轉(zhuǎn)換效率，優(yōu)化光束質(zhì)量，縮短增益光纖長度，提高系統(tǒng)穩(wěn)定性并使其更加小巧緊湊是未來光纖激光器領(lǐng)域研究的重點。

　　第二、新型光纖激光器的研制：在時域方面，具有更小占空比的超短脈沖鎖模光纖激光器一直是激光領(lǐng)域研究的熱點，高功率飛秒量級脈沖光纖激光器一直是人們長期追求的目標(biāo)。在頻域方面，寬帶輸出并可調(diào)諧的光纖激光器將成為研究熱點。

    新加坡科研究人員開發(fā)出一款緊湊的異質(zhì)集成III-V族/硅結(jié)構(gòu)激光器，包括硅III-V族脊波導(dǎo)增益，III-V族/硅光垂直互連通路(VIAs)和硅絕緣體(SOI)納米光子波導(dǎo)截面。這種緊湊型激光器體積小，可集成在芯片上，可用于各種行業(yè)且需求巨大，包括數(shù)據(jù)通信和存儲。

　　III-V族/硅結(jié)構(gòu)激光器可作為芯片光源，具有巨大的吸引力。但要使這類激光器發(fā)揮作用，必須嚴(yán)格限制光以最大限度提高激光效率，并與激光器的光波導(dǎo)有效地共享或耦合。

　　研究人員認(rèn)為這種新結(jié)構(gòu)器件不僅可以作為硅光電子技術(shù)的芯片光源，也作為一個潛在的新技術(shù)整合平臺。與傳統(tǒng)光電系統(tǒng)相比，它提高了制造效率和系統(tǒng)集成度，減少了芯片占用的空間。

　　在300 nm厚的硅絕緣層頂部采用低溫等離子體輔助直接晶圓鍵合法形成III-V族半導(dǎo)體層，并在硅上通過刻蝕形成III-V族脊波導(dǎo)增益截面。在50μm范圍內(nèi)將III-V族和同樣方向的硅絕緣體逐漸變窄，使光有效的與600nm范圍的硅納米光子波導(dǎo)耦合形成III-V族/硅光垂直互連通路(VIAs)。

　　采用該器件制成的法布里-珀羅(FP)激光器在室溫下的連續(xù)波激光閾值電流為65 mA，單面的斜線效率是144mW/ A。電流為100mA時，最大單面發(fā)射功率約為4.5MW在，側(cè)模抑制比是around30dB。

　　這中新型緊湊異質(zhì)集成III-V族/硅結(jié)構(gòu)激光器可子系統(tǒng)芯片上的激光器結(jié)構(gòu)復(fù)雜度提高。